SK하이닉스, 산학특허 5건 시상…AI 메모리 기술 발굴

[이데일리 송재민 기자] SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대에 필요한 고속 메모리 인터페이스와 차세대 전극 기술 등 산학협력 연구 성과를 발굴해 시상했다. 16일 경기 이천 SK하이닉스 이천캠퍼스에서 열린 ‘2026 산학연구과제 우수발명 시상식’에서 수상자와 회사 관계자들이 기념촬영을 하고 있다. (사진=SK하이닉스)SK하이닉스는 16일 경기 이천캠퍼스에서 ‘2026 산학연구과제 우수발명 시상식’을 열었다고 밝혔다. 지난해 출원된 산학특허 26건을 심사해 최우수상 1건과 우수상 1건, 장려상 3건 등 총 5건을 선정했다. 행사에는 차선용 미래기술연구원장과 채희석 법무·특허 부문장, 김재범 연구개발(R&D)전략 담당, 김연수 특허 담당 등 회사의 기술·특허 부문 주요 임원과 실무진이 참석했다. 산학연구과제 우수발명 시상식은 대학과 공동으로 수행한 연구 가운데 기술적 성과가 뚜렷하고 특허 가치가 높은 발명을 격려하기 위해 2013년부터 매년 열리고 있다. 최우수상은 서울대 최우석 교수의 ‘차세대 다중 레벨 신호 전송을 위한 회로 설계’ 관련 특허가 받았다. 연산 칩과 메모리 사이에서 데이터를 빠르고 적은 에너지로 전송하면서 고속 작동 때 발생하는 전원 잡음을 줄이는 기술이다. 연구진은 세 단계 전압 신호로 데이터를 보내는 ‘PAM3’ 방식에서 회로 설계를 개선해 데이터 전송 안정성을 높였다. 실측을 통해 기존 방식보다 안정적인 전송 성능을 확인했으며 관련 특허는 SK하이닉스와 공동 출원했다. 우수상은 연세대 김형준 교수의 차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 제어 기술이 선정됐다. 새로운 소재나 추가 공정을 도입하지 않고 단일 공정 변수를 조절해 전극과 소자의 특성을 바꿀 수 있는 기술이다. 공정 조건별 물성과 소자 특성을 정량화해 실제 제품 개발에 적용할 수 있는 완성도를 갖췄다는 평가를 받았다. 장려상은 서울대 황철성 교수의 수직형 SOM 셀 물질 증착용 고온 원자층증착·화학기상증착(ALD·CVD) 공정, 서울과기대 최병준 교수의 차세대 메모리용 고온 ALD·CVD 전구체 및 공정, 한양대 한재덕 교수의 UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로 관련 특허에 돌아갔다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장은 “산학협력으로 발굴된 우수 특허가 국내 반도체 산업의 기술 경쟁력을 높이는 데 기여할 것”이라며 “도전적이고 혁신적인 연구가 활발히 이뤄질 수 있도록 지원을 이어가겠다”고 말했다.