SK하이닉스, 차세대 AI 메모리 HBM4E 12단 샘플 공급

SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다고 18일 밝혔다. 회사는 HBM 개발 역량과 양산 경험을 바탕으로 제품 개발을 진행했으며, 고객사들과 협력을 통해 적기 양산을 추진할 계획이라고 설명했다.

이번 제품은 기존 HBM4보다 성능과 전력 효율을 모두 개선한 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했으며 에너지 효율은 20% 이상 높였다. 이에 따라 AI 학습과 추론 과정에서 요구되는 데이터 처리 성능을 강화했다고 회사는 설명했다.

HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화를 적용해 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적으로 동작하도록 설계됐다. 이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 운영 효율을 높일 수 있을 것으로 기대하고 있다.

구조 안정성도 강화했다. SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 동시에 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 안정적인 구동이 가능하도록 했다.

SK하이닉스는 HBM3와 HBM3E, HBM4 양산 경험을 바탕으로 고객 맞춤형 메모리 솔루션을 공급해 왔다. 회사는 HBM4E를 통해 AI 시스템의 병목 현상 해소를 지원하고 차세대 AI 인프라 구축 수요에 대응한다는 계획이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.

홍민성 한경닷컴 기자 mshong@hankyung.com