삼성전자-SK하이닉스, 7세대 HBM 선보이며 “中보다 기술 우위”

SEDEX 2026서 나란히 샘플 공개 中업체의 연내 신기술 예고 겨냥해 삼성전자 “우리도 같은 기술 개발중” 머스크 “中 업체의 추격 어려울 것, 현재 메모리 반도체 값 너무 비싸” 중국 D램 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 연내 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 신기술을 적용한 차세대 서버용 D램 출시를 예고함에 따라 기술 추격에 대한 우려가 커진 가운데, 삼성전자도 해당 기술을 개발 중이라고 14일 재차 밝혔다. 삼성전자와 하이닉스는 또 나란히 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 샘플 등 차세대 기술을 공개하며 메모리 분야에서의 ‘기술 우위’를 강조했다. 14일 서울 강남구 코엑스에서 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’이 열렸다. 삼성전자 부스에서 관람객들이 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’ 구조 모형을 살펴보고 있는 모습. 뉴스1 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’에서 ‘삼성전자도 4F² 기술을 개발하고 있느냐’는 질문에 “그렇다”고 답했다. 잘 준비되고 있느냐는 물음에는 “열심히 하고 있다”고 말했다. 4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀의 면적을 줄이는 기술이다. 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 줄일 수 있어, 같은 면적에 더 많은 셀을 넣어 저장 용량을 키울 수 있다. 앞서 올해 2월 삼성전자는 국제고체회로학회(ISSCC)에서 4F² 구조의 16Gb D램 시험용 칩을 제작해 실제 작동에 성공했다는 논문을 발표한 바 있다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 이날 기조연설에서 인공지능(AI) 인프라의 성능 규모가 2030년에는 올해의 약 20배로 커질 것으로 전망하기도 했다. 그는 “AI 연산량뿐만 아니라 모델 가중치와 중간 데이터의 저장·이동 수요도 함께 증가하고 있다”고 말했다. AI가 더 복잡한 작업을 수행하면서 필요 메모리도 증가한다는 설명이다. 안 사장은 “HBM, D램, SSD 등 메모리 계층에 데이터를 분산해 저장해야 하는데, 이 과정에서 새로운 성능 및 전력 소모의 병목이 생기고 있다”고 설명했다. 해법으로는 연산칩 위에 D램을 쌓아 데이터 이동 거리를 줄이는 ‘3D 적층 D램’과 고대역폭플래시(HBF)를 제시했다. 그는 “샌디스크 등과 HBF 표준화 작업도 진행하고 있다”며 “내년 1월 정식 표준 규격이 나올 것”이라고 했다. SEDEX 2026에 부스를 차...