SK하이닉스 "2028년까지 D램 양산 High-NA EUV 적용 목표"

[이데일리 최오현 기자] SK하이닉스가 오는 2028년 D램 양산 공정에 차세대 노광 기술인 고(高)개구수 극자외선(High-NA EUV) 적용을 추진할 계획이다. 글로벌 노광장비 업체인 ASML과 대만 TSMC 등이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄’ 참여도 검토하며 차세대 미세공정 기술 확보에 속도를 낸다.

(사진=SK하이닉스)

8일 로이터에 따르면 SK하이닉스는 성명을 통해 2028년 차세대 첨단 노광장비인 High-NA EUV를 D램 양산에 적용하는 것을 목표로 하고 있다고 밝혔다. 아울러 12인치 포토마스크 도입과 관련한 컨소시엄 참여도 검토하고 있다고 덧붙였다.

High-NA EUV는 기존 EUV보다 높은 개구수(NA)를 적용해 해상도를 높인 차세대 노광 기술이다. 기존 EUV 장비의 NA가 0.33인 데 비해 High-NA EUV는 0.55로 높아져 더욱 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있다. 차세대 반도체에서 회로가 더욱 세밀화되는 만큼 제품 성능과 생산성을 한 단계 끌어올릴 핵심 기술로 꼽힌다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1a) D램 양산에 EUV를 처음 도입한 이후 첨단 D램으로 적용 범위를 확대해왔다. 향후 D램 미세화가 한층 진행되면서 기존 EUV만으로 미세 회로를 구현하는 데 한계가 커지는 만큼 High-NA EUV를 활용해 공정 복잡도를 낮추고 차세대 메모리 개발 속도를 높인다는 구상이다.

SK하이닉스는 12인치 포토마스크로 업계 표준을 변화하고자 하는 컨소시엄 동참도 검토 중이다. ASML 등 글로벌 업체들은 그간 노광 공정에서 사용해온 6인치 포토마스크를 12인치로 변경하는 협의체를 운영 중이다. 삼성전자도 이 곳에 참여하고 있다.

기존 6인치의 동일한 포토마스크를 사용한다고 했을 때 High-NA EUV가 미세한 노광은 가능하지만, 한 번에 노광할 수 있는 영역은 기존 EUV보다 줄어들어 대형 칩 생산 시 생산성이 떨어질 수 있다는 문제가 있다. 이에 컨소시엄은 마스크 크기를 12인치로 키워 생산성을 높이고 제조 비용을 낮추는 방안을 추진하고 있다. 관련 기업들은 12인치 포토마스크 개발과 장비·소재 기술 확보, 관련 표준 마련 등에 협력할 예정이다.