SK하이닉스, 美에 첫 HBM 거점 "2029년부터 연간 수십만장 양산"

국제 > 글로벌 산업 SK하이닉스, 美에 첫 HBM 거점 "2029년부터 연간 수십만장 양산" 입력 : 2026.08.28 01:00 Google 검색에서 매일경제 기사를 더 자주 볼 수 있습니다. SK하이닉스가 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 생산 거점이 될 인디애나주 공장을 짓기 시작한다. '인디애나 팹'은 2028년 10월 후공정 클린룸을 완공하고, 2029년 하반기부터는 차세대 HBM 양산에 돌입할 예정이다. SK하이닉스는 최고경영자(CEO)인 곽노정 대표 등이 참석한 가운데 27일(현지시간) 인디애나주 웨스트라피엣에서 기공식을 열었다. 현재 기초 골조 공사를 진행 중인 인디애나 팹은 올해 10월부터 주요 설비 공사에 착수한다. 최종 생산능력은 웨이퍼 기준으로 연간 수십만 장 규모가 될 전망이다. 인디애나 팹에서는 인공지능(AI)용 메모리 반도체인 HBM을 이른바 '어드밴스트 패키징(Advanced Packaging)'을 통해 완성하게 된다. 여러 개의 칩을 하나로 묶거나 수직으로 쌓아 반도체 성능을 높이는 최첨단 후공정 기술이 적용된다. 인디애나 팹은 미국의 HBM 수요를 정면으로 겨냥한다. 지난 7월 뉴욕 증시에 미국주식예탁증서(ADR)를 상장한 이후 현지 투자를 본격화하는 출발선이기도 하다. SK하이닉스는 인디애나 팹에 40억달러(약 5조5000억원) 이상을 투자할 계획이다. 해당 공장은 한국에서 생산된 HBM용 D램 웨이퍼를 수입한 뒤 패키징과 테스트 공정을 거쳐 미국 고객사들에 공급하는 최종 거점 역할을 담당할 예정이다. SK하이닉스는 인디애나 팹을 위해 1000여 명의 생산·엔지니어링·연구개발(R&D) 인력을 고용할 계획이다. [웨스트라피엣 최승진 특파원] SK하이닉스가 미국 인디애나주에 40억달러 이상을 투자해 2029년 하반기 차세대 HBM 양산에 돌입합니다. 인디애나 팹은 한국산 D램 웨이퍼를 수입해 어드밴스트 패키징과 테스트를 거쳐 현지 고객사에 공급하는 핵심 거점 역할을 담당합니다. 업계에서는 대규모 현지 투자가 북미 시장의 HBM 수요를 직접 겨냥하며 중장기 실적 경쟁력을 강화하는 계기가 될 것으로 보고 있습니다. 주의사항 : 본 서비스는 AI의 구조적 한계로 인해 오류가 발생할 수 있습니다. 모든 내용은 투자 권유 또는 주식거래를 목적으로 하지 않습니다. 신고 사유 선택 잘못된 정보 또는 사실과 다른 내용 오해의 소지가 있거나 과장된 분석 기사와 종목이 일치하지 않거나...