삼성전자, 평택캠퍼스 '마지막 반도체 공장' 본격 착공

삼성전자가 경기 평택캠퍼스의 마지막 공장인 ‘P5 팹2’ 착공 준비에 들어갔다. 인공지능(AI) 인프라 투자 열풍으로 메모리 반도체 주문이 급증하자 설비 투자 시기를 당초 계획보다 6개월가량 앞당긴 것이다.

▶본지 5월 8일자 A1, 5면 참조

◇P5 팹2 부지에 건설 장비 배치

21일 업계에 따르면 최근 삼성전자의 P5 팹2 부지에는 여러 대의 항타기가 새롭게 배치됐다. 항타기는 땅에 기둥을 박기 위한 건설 장비다. 업계 관계자는 “이 장비가 하나둘씩 공사 현장으로 들어오는 것은 조만간 P5 팹2 공사가 본격적으로 시작된다는 것을 의미한다”며 “다음달 전후로 착공할 가능성이 크다”고 말했다. 공장 부지에 있는 컨테이너들은 다른 곳으로 옮기고 있다. 부지 구획 정리도 마쳤다고 한다. 삼성전자와 시공사는 P5 팹2 공사를 위한 전담 팀도 구성하고 있는 것으로 알려졌다.

P5 팹2는 삼성전자의 최첨단 반도체를 생산하는 평택사업장에 여섯 번째로 들어서는 공장이다. 평택사업장의 마지막 반도체 생산라인이기도 하다. 이 공장은 가로 661m, 세로 194m 부지(약 13만㎡ 규모)에 건설된다. 축구장 18개 크기다. 300㎜ 웨이퍼 기준 월 20만~30만 장을 생산할 수 있을 것으로 예상된다. 주력인 고대역폭메모리(HBM)부터 차세대 D램, 낸드플래시, 첨단 공정 파운드리(수탁생산) 라인까지 모두 갖춘다. 2029년 첫 가동이 목표다.

3층 구조인 ‘트리플 팹’ 구조로 짓는 것이 특징이다. 이 부지 바로 옆에서 2028년 가동을 목표로 지난해 말 공사를 시작한 ‘P5 팹1’에 처음 도입된 건물 구조다. P5 팹1에는 60조원 이상이 투입될 것으로 예상된다. P5 팹2를 건설하는 데도 비슷한 자금이 들어갈 것으로 전망된다. P5 팹1·2 생산능력을 합치면 300㎜ 웨이퍼 기준 월 60만 장 수준이다. 삼성전자의 현재 D램 전체 생산량(월 65만 개)과 맞먹는 규모다.

◇칩 수요 급증에 설비투자 속도

삼성전자는 당초 P5 팹2 착공을 내년 초로 계획했다. 하지만 최근 정보기술(IT)업계에서 AI 반도체의 핵심인 HBM은 물론 범용 D램, 낸드플래시 수요까지 급증하자 착공 시기를 앞당기기로 결정했다. 업계 관계자는 “삼성전자가 물량을 본격적으로 쏟아내기 시작하면 ‘규모의 경제’를 통해 원가 경쟁력에서 경쟁사보다 우위를 점할 수 있을 것”이라고 말했다.

최근 글로벌 빅테크가 삼성전자 파운드리에 잇달아 협업을 타진한 것도 착공 시기를 앞당긴 요인 중 하나다. 엔비디아, AMD, 퀄컴 등 반도체 설계 회사는 물론 일론 머스크가 이끄는 테슬라와 뉴럴링크 등도 삼성전자에 수탁생산을 제안한 상태다.

삼성전자는 P5 팹1과 2를 동시에 건설하는 것 외에 다양한 방법으로 각 거점의 생산능력을 확장하고 있다. 평택 사업장 내 최신 공장인 P4에서는 300㎜ 웨이퍼 기준 월 10만~12만 장 규모의 6세대 HBM(HBM4)용 10나노급 6세대(1c) D램 생산라인을 추가로 구축하고 있다. 중국 시안 공장에는 286단(V9) 낸드플래시를 생산할 수 있는 공간이 마련된다. 미국 텍사스주 테일러 공장에는 테슬라 AI 칩을 만들 수 있는 2나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 제조 라인이 갖춰진다. 또 지방 균형 발전을 모색하기 위해 광주 또는 새만금 지역에 반도체 후공정(패키징) 공장 설립을 추진하는 것으로 알려졌다.

다니엘 오 삼성전자 부사장은 지난 4월 열린 올해 1분기 실적 발표회에서 “올해 AI 수요 지속으로 설비투자(CAPEX) 규모를 전년 대비 상당한 수준으로 확대할 계획”이라며 “미래 수요에 적극 대응할 수 있도록 전략 거점을 강화하고 추가 인프라를 확보할 것”이라고 말했다.

강해령 기자 hr.kang@hankyung.com