[마켓PRO] "中, HBM 기술격차 축소…지각변동 가능"

중국이 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 선도 기업과의 격차를 빠르게 축소하고 있어 앞으로 수년 뒤 경쟁심화와 가격변동을 가져올 수 있다고 모건스탠리가 분석했다.

모건스탠리는 고객들에게 보낸 지난 26일자 ‘중국의 HBM 격차 축소(China's HBM Gap
Narrows)’보고서에서 “비록 초기 단계지만, HBM 생산 분야에서 중국의 빠른 진보(rapid progress)가 경쟁심화와 가격변동을 일으키며 글로벌 D램 시장에 지각변동을 일으킬 수 있다
(a shift in the global DRAM landscape)”고 말했다.

보고서는 “HBM3 기술 개발 관점에서 중국은 선도 기업들과 비교해 불과 3~4년 뒤처져 있다”며 “중국의 메모리 스토리는 반도체 분야의 글로벌 리더가 되기 위해 메모리 산업을 발판으로 삼았던 일본과 한국의 전철을 밟고 있다”고 설명했다.

보고서는 “창신메모리(CXMT)의 DDR5 생산에 힘입어 중국은 D램 기술 격차도 3년으로 좁혔다”며 “HBM3 따라잡기도 먼 미래가 아니다(not out of its reach)”고 덧붙였다.

이태호 기자 thlee@hankyung.com